GeneSiC Semiconductor - GB100XCP12-227

KEY Part #: K6532798

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - JFET, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...

Kilpailuetu:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 electronic components. GB100XCP12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB100XCP12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : GB100XCP12-227

Valmistaja : GeneSiC Semiconductor

Kuvaus : IGBT 1200V 100A SOT-227

Sarja : -

Osan tila : Obsolete

IGBT-tyyppi : PT

kokoonpano : Single

Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V

Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 100A

Teho - Max : -

Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 100A

Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 1mA

Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 8.55nF @ 25V

panos : Standard

NTC-termistori : No

Käyttölämpötila : -40°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi : Chassis Mount

Paketti / asia : SOT-227-4

Toimittajalaitteen paketti : SOT-227

Saatat myös olla kiinnostunut

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

Kuumat osat