Osa numero :
ZXMHC6A07N8TC
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
FET-tyyppi :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-ominaisuus :
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
1.39A, 1.28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3.2nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
166pF @ 40V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOP