Microsemi Corporation - JANTX1N4500

KEY Part #: K6444029

JANTX1N4500 Hinnoittelu (USD) [1350kpl varastossa]

  • 1 pcs$20.80680
  • 10 pcs$19.45814
  • 25 pcs$17.99605
  • 100 pcs$16.87130

Osa numero:
JANTX1N4500
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 80V DO35.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N4500 electronic components. JANTX1N4500 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N4500, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N4500 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTX1N4500
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 80V DO35
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/403
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 80V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : -
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 300mA
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 6ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100nA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-35
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • BAS16-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.