Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A KBP
Diodin tyyppi :
Single Phase
Jännite - Peak Reverse (Max) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 800V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
4-SIP, KBP
Toimittajalaitteen paketti :
KBP