ON Semiconductor - MBRD360T4G

KEY Part #: K6454594

MBRD360T4G Hinnoittelu (USD) [428840kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.10536
  • 2,500 pcs$0.10484
  • 5,000 pcs$0.09761
  • 12,500 pcs$0.09640

Osa numero:
MBRD360T4G
Valmistaja:
ON Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 60V
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in ON Semiconductor MBRD360T4G electronic components. MBRD360T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRD360T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRD360T4G Tuoteominaisuudet

Osa numero : MBRD360T4G
Valmistaja : ON Semiconductor
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
Sarja : SWITCHMODE™
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 60V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 600mV @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 200µA @ 60V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajalaitteen paketti : DPAK
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated