Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Toimittajalaitteen paketti :
TO-262
Paketti / asia :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA