Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTXV1N5811US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5811US

KEY Part #: K6432875

JANTXV1N5811US Hinnoittelu (USD) [6394kpl varastossa]

  • 1 pcs$7.73568
  • 108 pcs$7.69719
Osa numero:
JANTXV1N5811US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV SM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Zener - Single, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5811US electronic components. JANTXV1N5811US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5811US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5811US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N5811US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/477
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, B
Toimittajalaitteen paketti : B, SQ-MELF
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-30WQ10FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ04FNTRLHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ03FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SS2FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • SS2FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS2FL3-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A

Kuumat osat