Infineon Technologies - IPB26CNE8N G

KEY Part #: K6407278

[1029kpl varastossa]


    Osa numero:
    IPB26CNE8N G
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - JFET, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - moduulit and Tiristorit - SCR-moduulit ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IPB26CNE8N G electronic components. IPB26CNE8N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB26CNE8N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB26CNE8N G Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IPB26CNE8N G
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
    Sarja : OptiMOS™
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 85V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 39µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2070pF @ 40V
    FET-ominaisuus : -
    Tehon hajautus (max) : 71W (Tc)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : D²PAK (TO-263AB)
    Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.

    • 2SK2845(TE16L1,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 900V 1A DP.