Osa numero :
VS-GB100LP120N
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) :
1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) :
200A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic :
1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) :
1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce :
7.43nF @ 25V
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Chassis Mount
Paketti / asia :
INT-A-Pak
Toimittajalaitteen paketti :
INT-A-PAK