Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.85V @ 4A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
100ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
25µA @ 800V
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-201AA, DO-27, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 175°C