Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. W949D2DBJX5E TR

Winbond Electronics - W949D2DBJX5E TR

KEY Part #: K941468

W949D2DBJX5E TR Hinnoittelu (USD) [36941kpl varastossa]

  • 1 pcs$2.33571
Osa numero:
W949D2DBJX5E TR
Valmistaja:
Winbond Electronics
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Logiikka - vertailijat, Liitäntä - Analogiset kytkimet - Erikoiskäyttö, PMIC - Jännitteensäätimet - erityistarkoitus, Liitäntä - Suodattimet - Aktiiviset, Logiikka - Lukot, Logiikka - erikoislogiikka, Lineaariset - komparaattorit and Sulautetut - CPLD: t (monimutkaiset ohjelmoitavat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Winbond Electronics W949D2DBJX5E TR electronic components. W949D2DBJX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D2DBJX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D2DBJX5E TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : W949D2DBJX5E TR
Valmistaja : Winbond Electronics
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - Mobile LPDDR
Muistin koko : 512Mb (16M x 32)
Kellotaajuus : 200MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 5ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V
Käyttölämpötila : -25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 90-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 90-VFBGA (8x13)

Uusimmat uutiset

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Saatat myös olla kiinnostunut
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • 25AA1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 24LC1026T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V SER EE 128 BYTE EXT

  • 25LC1024T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 24LC1025T-E/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 1024K 128KX8 2.5V SER EE 128 BYTE PAGE

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

Kuumat osat