IXYS - IXFE23N100

KEY Part #: K6401879

IXFE23N100 Hinnoittelu (USD) [2783kpl varastossa]

  • 1 pcs$16.34522

Osa numero:
IXFE23N100
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFE23N100 electronic components. IXFE23N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFE23N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE23N100 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFE23N100
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 500W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-227B
Paketti / asia : SOT-227-4, miniBLOC

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.