Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
25A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
2.7V @ 25A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
190ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
700nA @ 1200V
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Die
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 150°C