SBR3U60P1-7 Hinnoittelu (USD) [748949kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04963
- 3,000 pcs$0.04939
- 6,000 pcs$0.04639
- 15,000 pcs$0.04340
- 30,000 pcs$0.03981
- Osa numero:
- SBR3U60P1-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SBR 60V 3A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers SBR Diode,PDI123 Diode,PDI123,3K
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - TRIACit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR3U60P1-7 electronic components. SBR3U60P1-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR3U60P1-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR3U60P1-7 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SBR3U60P1-7
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE SBR 60V 3A POWERDI123
Sarja :
SBR®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Super Barrier
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
60V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
650mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 60V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
POWERDI®123
Toimittajalaitteen paketti :
PowerDI™ 123
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Kuumat osat
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T