Osa numero :
TSM130NB06CR RLG
Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 51A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
2380pF @ 30V
Tehon hajautus (max) :
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-PDFN (5x6)
Paketti / asia :
8-PowerTDFN