Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. IS43DR81280B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR81280B-3DBLI-TR

KEY Part #: K936877

IS43DR81280B-3DBLI-TR Hinnoittelu (USD) [15330kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.57631
  • 2,000 pcs$3.55852
Osa numero:
IS43DR81280B-3DBLI-TR
Valmistaja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA. DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - suora digitaalinen synteesi (DDS), Liitäntä - Telecom, PMIC - Voltage Regulators - DC DC -vaihtosäätimet, Embedded - FPGA (Field Programmable Gate Array) ja, Logiikka - vertailijat, Kello / ajastus - kellon generaattorit, PLL: t, ta, Liitäntä - Äänitallennus ja toisto and Logiikka - FIFOs-muisti ...
Kilpailuetu:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBLI-TR electronic components. IS43DR81280B-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR81280B-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR81280B-3DBLI-TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : IS43DR81280B-3DBLI-TR
Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kuvaus : IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 1Gb (128M x 8)
Kellotaajuus : 333MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 450ps
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 60-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 60-TWBGA (8x10.5)

Uusimmat uutiset

Silicom MinnowBoard Turbot
Saatat myös olla kiinnostunut
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

Kuumat osat