DB2430100L Hinnoittelu (USD) [503587kpl varastossa]
- 1 pcs$0.07345
- 3,000 pcs$0.05859
- 6,000 pcs$0.05503
- 15,000 pcs$0.05148
- 30,000 pcs$0.04734
- Osa numero:
- DB2430100L
- Valmistaja:
- Panasonic Electronic Components
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30V 2A TMINIP2.
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Tiristorit - SCR-moduulit and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Panasonic Electronic Components DB2430100L electronic components. DB2430100L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB2430100L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DB2430100L Tuoteominaisuudet
Osa numero :
DB2430100L
Valmistaja :
Panasonic Electronic Components
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30V 2A TMINIP2
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
2A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
390mV @ 2A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
21ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1.3mA @ 30V
Kapasitanssi @ Vr, F :
61pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-128
Toimittajalaitteen paketti :
TMiniP2-F2-B
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
-
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
-
V20DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20A, 45V,TRENCH SKY RECT.
-
SE20FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
Kuumat osat
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215