Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. CDBJSC101200-G

Comchip Technology - CDBJSC101200-G

KEY Part #: K6430876

CDBJSC101200-G Hinnoittelu (USD) [13054kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.15720
Osa numero:
CDBJSC101200-G
Valmistaja:
Comchip Technology
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - DIAC, SIDAC ...
Kilpailuetu:
We specialize in Comchip Technology CDBJSC101200-G electronic components. CDBJSC101200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC101200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101200-G Tuoteominaisuudet

Osa numero : CDBJSC101200-G
Valmistaja : Comchip Technology
Kuvaus : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Nopeus : No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-220-2
Toimittajalaitteen paketti : TO-220-2
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Saatat myös olla kiinnostunut
  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • SB260-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 60 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM

  • SS10P6HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,60V,SM SKY RECT.

  • AR4PMHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,1000V, SMPC Fast Rec Avalanche

  • VS-4ESH01HM3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101

  • AR3PDHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC Fast Rec Avalanche

Kuumat osat