Microsemi Corporation - APTGT50H60T2G

KEY Part #: K6533661

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T2G electronic components. APTGT50H60T2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : APTGT50H60T2G

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : MOD IGBT 600V 80A SP2

Sarja : -

Osan tila : Obsolete

IGBT-tyyppi : Trench Field Stop

kokoonpano : Full Bridge Inverter

Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 600V

Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 80A

Teho - Max : 176W

Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : 250µA

Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

panos : Standard

NTC-termistori : Yes

Käyttölämpötila : -

Asennustyyppi : Chassis Mount

Paketti / asia : SP2

Toimittajalaitteen paketti : SP2

Saatat myös olla kiinnostunut

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Kuumat osat