Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. IS43DR86400E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400E-3DBLI

KEY Part #: K936605

IS43DR86400E-3DBLI Hinnoittelu (USD) [14583kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.73714
Osa numero:
IS43DR86400E-3DBLI
Valmistaja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - Signaalin puskurit, toistimet, jakajat, Kello / ajoitus - IC-paristot, PMIC - Voltage Regulators - Lineaariset, PMIC - RMS DC - muuntimiin, PMIC - Voltage Regulators - DC DC -vaihtosäätimet, Logiikka - vertailijat, Logiikka - signaalikytkimet, multiplekserit, dekoo and PMIC - akkulaturit ...
Kilpailuetu:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI electronic components. IS43DR86400E-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400E-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400E-3DBLI Tuoteominaisuudet

Osa numero : IS43DR86400E-3DBLI
Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 512Mb (64M x 8)
Kellotaajuus : 333MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 450ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 60-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 60-TWBGA (8x10.5)

Uusimmat uutiset

Silicom MinnowBoard Turbot
Saatat myös olla kiinnostunut
  • FM25V02A-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

  • MR25H10CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • FM25V02A-DGQ

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • MR45V200BRAZAARL

    Rohm Semiconductor

    FERAM / 2MBIT 256KB X 8 / SPI. F-RAM FeRAM/2M 256K x 8 DIP8

  • AT28HC256E-12SU-202

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC.

  • AT28HC256E-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR

Kuumat osat