GeneSiC Semiconductor - S25B

KEY Part #: K6425051

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA. Rectifiers 100V 25A Std. Recovery

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...

Kilpailuetu:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S25B electronic components. S25B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : S25B

Valmistaja : GeneSiC Semiconductor

Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 25A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 25A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 50V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud

Toimittajalaitteen paketti : -

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier