Valmistaja :
Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
150V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
-
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
20ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 150V
Kapasitanssi @ Vr, F :
45pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C