Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. W987D2HBJX7E TR

Winbond Electronics - W987D2HBJX7E TR

KEY Part #: K942478

W987D2HBJX7E TR Hinnoittelu (USD) [47612kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Osa numero:
W987D2HBJX7E TR
Valmistaja:
Winbond Electronics
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - anturi, kapasitiivinen kosketus, Sulautettu - mikroprosessorit, Sulautetut - mikrokontrollerit, PMIC - Nykyinen sääntely / hallinta, PMIC - Hot Swap -ohjaimet, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -ohjaimet, Muisti - FPGA-asetusten määritysohjelmat and Logiikka - portit ja invertterit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR electronic components. W987D2HBJX7E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D2HBJX7E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : W987D2HBJX7E TR
Valmistaja : Winbond Electronics
Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - Mobile LPSDR
Muistin koko : 128Mb (4M x 32)
Kellotaajuus : 133MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 5.4ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V
Käyttölämpötila : -25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 90-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 90-VFBGA (8x13)

Uusimmat uutiset

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Saatat myös olla kiinnostunut
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Kuumat osat