IXYS - IXFA3N120

KEY Part #: K6394869

IXFA3N120 Hinnoittelu (USD) [17085kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.23474
  • 10 pcs$2.91215
  • 100 pcs$2.39454
  • 500 pcs$2.00623
  • 1,000 pcs$1.74735

Osa numero:
IXFA3N120
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Transistorit - ohjelmoitava Unijunction ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFA3N120 electronic components. IXFA3N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA3N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA3N120 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFA3N120
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 200W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-263 (IXFA)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB