ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BL-TR

KEY Part #: K938086

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Logic - Shift-rekisterit, Sulautetut - PLD-ohjelmat (ohjelmoitava logiikkala, Logic - Flip Flops, PMIC - V / F ja F / V muuntimet, Embedded - FPGA (Field Programmable Gate Array) ja, Liitäntä - Signaalin puskurit, toistimet, jakajat, PMIC - Moottoriajurit, ohjaimet and Liitäntä - CODECit ...

Kilpailuetu:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BL-TR electronic components. IS43R86400F-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : IS43R86400F-5BL-TR

Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Volatile

Muistimuoto : DRAM

tekniikka : SDRAM - DDR

Muistin koko : 512Mb (64M x 8)

Kellotaajuus : 200MHz

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns

Kirjautumisaika : 700ps

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 2.3V ~ 2.7V

Käyttölämpötila : 0°C ~ 70°C (TA)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 60-TFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Saatat myös olla kiinnostunut

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
S29GL512T11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR
S29GL512S11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor
S34MS01G104BHV013

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.
S34MS01G100BHI900

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

Kuumat osat