ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-25DBL

KEY Part #: K936975

IS43DR86400C-25DBL Hinnoittelu (USD) [15541kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.52740
  • 242 pcs$3.50985

Osa numero:
IS43DR86400C-25DBL
Valmistaja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Kello / Ajoitus - Reaaliaikaiset kellot, Kello / ajoitus - viivejohdot, PMIC - RMS DC - muuntimiin, Logiikka - Lukot, Lineaariset - komparaattorit, PMIC - Valaistus, liitäntälaitteet, Liitäntä - suora digitaalinen synteesi (DDS) and Kello / ajoitus - sovelluskohtainen ...
Kilpailuetu:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL electronic components. IS43DR86400C-25DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-25DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-25DBL Tuoteominaisuudet

Osa numero : IS43DR86400C-25DBL
Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 512Mb (64M x 8)
Kellotaajuus : 400MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 400ps
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : 0°C ~ 70°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 60-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 60-TWBGA (8x10.5)

Uusimmat uutiset

Saatat myös olla kiinnostunut
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8