Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP51A-E3/D

KEY Part #: K6440226

EGP51A-E3/D Hinnoittelu (USD) [247410kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.14950

Osa numero:
EGP51A-E3/D
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 5A DO201AD. Rectifiers 5A,50V,50NS
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - moduulit and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP51A-E3/D electronic components. EGP51A-E3/D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP51A-E3/D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP51A-E3/D Tuoteominaisuudet

Osa numero : EGP51A-E3/D
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 5A DO201AD
Sarja : SUPERECTIFIER®
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 960mV @ 5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 117pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-201AD, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-201AD
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • UH2DHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • GP10D-4003EHE3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL.