Vishay Semiconductor Diodes Division - US1M-M3/61T

KEY Part #: K6454669

US1M-M3/61T Hinnoittelu (USD) [854154kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.04330
  • 14,400 pcs$0.03160

Osa numero:
US1M-M3/61T
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1A,1000V,75NS,UF RECT,SMD
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1M-M3/61T electronic components. US1M-M3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1M-M3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1M-M3/61T Tuoteominaisuudet

Osa numero : US1M-M3/61T
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1000V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 1000V
Kapasitanssi @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103CW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 1mA 50 Volt

  • 1N4148W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 150mA 4ns 500mA IFSM

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM