Diodes Incorporated - 1N4005-T

KEY Part #: K6456998

1N4005-T Hinnoittelu (USD) [2843460kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01301
  • 5,000 pcs$0.00921
  • 10,000 pcs$0.00800
  • 25,000 pcs$0.00721
  • 50,000 pcs$0.00640
  • 125,000 pcs$0.00532

Osa numero:
1N4005-T
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41. Rectifiers 1A 600Vrrm 30Ifsm
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated 1N4005-T electronic components. 1N4005-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4005-T Tuoteominaisuudet

Osa numero : 1N4005-T
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-41
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • DSS2-60AT2

    IXYS

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A TO92-3.

  • FFD08S60S-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers 8A, 600V Stealth II Rectifier

  • BAS16

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 215mA 75V 4ns

  • VS-6EVL06HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.

  • VS-8EVX06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK.