Infineon Technologies - IPP60R090CFD7XKSA1

KEY Part #: K6398430

IPP60R090CFD7XKSA1 Hinnoittelu (USD) [12004kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.43305

Osa numero:
IPP60R090CFD7XKSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
HIGH POWERNEW.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - erityistarkoitus and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IPP60R090CFD7XKSA1 electronic components. IPP60R090CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R090CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R090CFD7XKSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IPP60R090CFD7XKSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : HIGH POWERNEW
Sarja : OptiMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 570µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2103pF @ 400V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 125W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : PG-TO220-3
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.

  • TK10A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS.