Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Tehonohjaimen moduulit
  5. GHIS100A120S1-E1

Global Power Technologies Group - GHIS100A120S1-E1

KEY Part #: K6531740

GHIS100A120S1-E1 Hinnoittelu (USD) [1079kpl varastossa]

  • 1 pcs$40.12363
  • 10 pcs$36.73598
Osa numero:
GHIS100A120S1-E1
Valmistaja:
Global Power Technologies Group
Yksityiskohtainen kuvaus:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS100A120S1-E1 electronic components. GHIS100A120S1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS100A120S1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS100A120S1-E1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : GHIS100A120S1-E1
Valmistaja : Global Power Technologies Group
Kuvaus : SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
Sarja : -
Osan tila : Active
Tyyppi : IGBT
kokoonpano : 1 Phase
nykyinen : 200A
Jännite : 1.25kV
Jännite - eristys : 2500Vrms
Paketti / asia : SOT-227-4, miniBLOC

Uusimmat uutiset

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Saatat myös olla kiinnostunut
  • DZ23C3V3-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.3Volt 0.3 Watt 5% AUTO

  • DZ23C33-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 33V 300MW SOT23. Zener Diodes 33 Volt 0.3 Watt 5% AUTO

  • AZ23C12-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 12V 300MW SOT23. Zener Diodes 12 Volt 0.3W 5% CA AUTO

  • DZ23C3V6-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.6Volt 0.3 Watt 5% AUTO

  • DZ23C22-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 22V 300MW SOT23. Zener Diodes 22 Volt 0.3 Watt 5% AUTO

  • DZ23C8V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

Kuumat osat