BAV19-TAP Hinnoittelu (USD) [5313718kpl varastossa]
- 1 pcs$0.00735
- 50,000 pcs$0.00731
- Osa numero:
- BAV19-TAP
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - erityistarkoitus ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV19-TAP electronic components. BAV19-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV19-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV19-TAP Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BAV19-TAP
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
250mA (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100nA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
DO-35
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
-
-
S1FLJ-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3
-
RS07D-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 200V 500MA DO219AB. Rectifiers 200 Volt 0.7A 150ns
-
RS07J-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 600V 500MA DO219AB. Rectifiers 600 Volt 0.7A 150ns
-
ES07B-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR