Osa numero :
DMP10H4D2S-13
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
270mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.8nC @ 10V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 25V
Tehon hajautus (max) :
380mW (Ta)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
SOT-23-3
Paketti / asia :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3