Ampleon USA Inc. - BLS6G2731S-120,112

KEY Part #: K6465782

BLS6G2731S-120,112 Hinnoittelu (USD) [340kpl varastossa]

1 pcs$137.00191
20 pcs$136.32031

Osa numero:: BLS6G2731S-120,112

Valmistaja:: Ampleon USA Inc.

Yksityiskohtainen kuvaus:: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B.

Valmistajan vakio läpimenoaika:: Varastossa

Kestoaika:: Yksi vuosi

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Maksutapa:

Lähetyksen tapa:

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - JFET, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...

Kilpailuetu:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLS6G2731S-120,112 electronic components. BLS6G2731S-120,112 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLS6G2731S-120,112, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLS6G2731S-120,112 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BLS6G2731S-120,112

Valmistaja : Ampleon USA Inc.

Kuvaus : RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B

Sarja : -

Osan tila : Active

Transistorin tyyppi : LDMOS

Taajuus : 2.7GHz ~ 3.1GHz

Saada : 13.5dB

Jännite - testi : 32V

Nykyinen arvostelu : 33A

Melun kuva : -

Virta - testi : 100mA

Teho - lähtö : 120W

Jännite - Nimellinen : 60V

Paketti / asia : SOT-502B

Toimittajalaitteen paketti : SOT502B

Saatat myös olla kiinnostunut

MMBFJ310

ON Semiconductor

RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.
MMBF5484

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 5MA SOT23.
AFM906NT1

NXP USA Inc.

WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.
A2T27S007NT1

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
AFM907NT1

NXP USA Inc.

RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.
MHT1108NT1

NXP USA Inc.

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.