GeneSiC Semiconductor - S6JR

KEY Part #: K6425038

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4. Rectifiers 600V 6A REV Leads Std. Recovery

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - TRIACit, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...

Kilpailuetu:: We specialize in GeneSiC Semiconductor S6JR electronic components. S6JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : S6JR

Valmistaja : GeneSiC Semiconductor

Kuvaus : DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard, Reverse Polarity

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 6A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 6A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 100V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud

Toimittajalaitteen paketti : DO-4

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Kuumat osat