ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320D-3DBLA1

KEY Part #: K936901

IS46DR16320D-3DBLA1 Hinnoittelu (USD) [15360kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.56938
  • 209 pcs$3.55162

Osa numero:
IS46DR16320D-3DBLA1
Valmistaja:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Kello / ajoitus - kellon puskurit, ajurit, Logic - Shift-rekisterit, Liitäntä - enkooderit, dekooderit, muuntimet, Kello / ajoitus - viivejohdot, Kello / ajoitus - IC-paristot, IC-sirut, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -ohjaimet and PMIC - V / F ja F / V muuntimet ...
Kilpailuetu:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 electronic components. IS46DR16320D-3DBLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320D-3DBLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16320D-3DBLA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IS46DR16320D-3DBLA1
Valmistaja : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kuvaus : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - DDR2
Muistin koko : 512Mb (32M x 16)
Kellotaajuus : 333MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 450ps
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.9V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 84-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 84-TWBGA (8x12.5)

Uusimmat uutiset

Saatat myös olla kiinnostunut
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA