Taiwan Semiconductor Corporation - HS5J M6G

KEY Part #: K6457463

HS5J M6G Hinnoittelu (USD) [513937kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07197

Osa numero:
HS5J M6G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Zener - Single, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS5J M6G electronic components. HS5J M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS5J M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS5J M6G Tuoteominaisuudet

Osa numero : HS5J M6G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
Sarja : -
Osan tila : Not For New Designs
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD