Comchip Technology - 1N5407-G

KEY Part #: K6443917

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...

Kilpailuetu:: We specialize in Comchip Technology 1N5407-G electronic components. 1N5407-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N5407-G

Valmistaja : Comchip Technology

Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A

Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : -

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 800V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Through Hole

Paketti / asia : DO-201AD, Axial

Toimittajalaitteen paketti : DO-27 (DO-201AD)

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 125°C

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers

Saatat myös olla kiinnostunut

BAS16-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3.
VS-HFA08TA60C-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB.
VSB1545-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 15A P600.
BAY80-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.
VS-8ETU04STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO262.
VS-MBRB1045PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK.

Kuumat osat