Valmistaja :
NXP USA Inc.
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
200mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 75V
Kapasitanssi @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajalaitteen paketti :
ALF2
Käyttölämpötila - liitos :
175°C (Max)