RB160L-90TE25 Hinnoittelu (USD) [835012kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04910
- 1,500 pcs$0.04886
- Osa numero:
- RB160L-90TE25
- Valmistaja:
- Rohm Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier 95V, 1A
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Rohm Semiconductor RB160L-90TE25 electronic components. RB160L-90TE25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB160L-90TE25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RB160L-90TE25 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
RB160L-90TE25
Valmistaja :
Rohm Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 90V 1A PMDS
Sarja :
-
Osan tila :
Not For New Designs
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
90V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
730mV @ 1A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 90V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti :
PMDS
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
-
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
-
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Kuumat osat
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215