Osa numero :
GSID150A120S6A4
Valmistaja :
Global Power Technologies Group
Kuvaus :
SILICON IGBT MODULES
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) :
1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) :
275A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 150A
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) :
1mA
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce :
20.2nF @ 25V
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C
Asennustyyppi :
Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti :
Module