Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. TC58NVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG1S3HBAI4

KEY Part #: K939586

TC58NVG1S3HBAI4 Hinnoittelu (USD) [25673kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.31769
  • 10 pcs$1.18372
  • 25 pcs$1.10529
Osa numero:
TC58NVG1S3HBAI4
Valmistaja:
Toshiba Memory America, Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - suora digitaalinen synteesi (DDS), Data Acquisition - kosketusnäytön ohjaimet, Tietojen hankinta - digitaaliset potentiometrit, PMIC - Jännitteensäätimet - erityistarkoitus, Lineaarinen - videon käsittely, Sulautettu - sirujärjestelmä (SoC), Logiikka - portit ja invertterit and PMIC - Voltage Regulators - Linear Regulator Contr ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG1S3HBAI4 electronic components. TC58NVG1S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG1S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG1S3HBAI4 Tuoteominaisuudet

Osa numero : TC58NVG1S3HBAI4
Valmistaja : Toshiba Memory America, Inc.
Kuvaus : IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Non-Volatile
Muistimuoto : FLASH
tekniikka : FLASH - NAND (SLC)
Muistin koko : 2Gb (256M x 8)
Kellotaajuus : -
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 25ns
Kirjautumisaika : 25ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 2.7V ~ 3.6V
Käyttölämpötila : -40°C ~ 85°C (TA)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 63-VFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 63-TFBGA (9x11)

Uusimmat uutiset

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Saatat myös olla kiinnostunut
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

Kuumat osat