VS-HFA08TB60S-M3 Hinnoittelu (USD) [94465kpl varastossa]
- 1 pcs$0.41392
- Osa numero:
- VS-HFA08TB60S-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK. Rectifiers 600V 8A TO-263 HexFred
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - RF, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08TB60S-M3 electronic components. VS-HFA08TB60S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08TB60S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08TB60S-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-HFA08TB60S-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Sarja :
HEXFRED®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
8A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
2.1V @ 16A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
55ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti :
TO-263AB (D²PAK)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Kuumat osat
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18