Diodes Incorporated - RS2AA-13-F

KEY Part #: K6452398

RS2AA-13-F Hinnoittelu (USD) [521010kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07099
  • 5,000 pcs$0.06308
  • 10,000 pcs$0.05873
  • 25,000 pcs$0.05569

Osa numero:
RS2AA-13-F
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 1.5A SMA. Rectifiers 2.0A 50V
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated RS2AA-13-F electronic components. RS2AA-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS2AA-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS2AA-13-F Tuoteominaisuudet

Osa numero : RS2AA-13-F
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 1.5A SMA
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1.5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : SMA
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM