IXYS - IXFQ60N25X3

KEY Part #: K6397774

IXFQ60N25X3 Hinnoittelu (USD) [13474kpl varastossa]

  • 1 pcs$3.36695
  • 10 pcs$3.00557
  • 100 pcs$2.46457
  • 500 pcs$1.99570
  • 1,000 pcs$1.68312

Osa numero:
IXFQ60N25X3
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXFQ60N25X3 electronic components. IXFQ60N25X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ60N25X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ60N25X3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXFQ60N25X3
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Sarja : HiPerFET™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3610pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 320W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-3P
Paketti / asia : TO-3P-3, SC-65-3

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.