IXYS - IXTH67N10

KEY Part #: K6393134

IXTH67N10 Hinnoittelu (USD) [7493kpl varastossa]

  • 1 pcs$6.32404
  • 10 pcs$5.69032
  • 100 pcs$4.67856
  • 500 pcs$3.91989

Osa numero:
IXTH67N10
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - TRIACit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTH67N10 electronic components. IXTH67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH67N10 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTH67N10
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Sarja : MegaMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 300W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247 (IXTH)
Paketti / asia : TO-247-3