IXYS - IXTN21N100

KEY Part #: K6402148

IXTN21N100 Hinnoittelu (USD) [2859kpl varastossa]

  • 1 pcs$15.98182
  • 10 pcs$15.90231

Osa numero:
IXTN21N100
Valmistaja:
IXYS
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in IXYS IXTN21N100 electronic components. IXTN21N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN21N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN21N100 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IXTN21N100
Valmistaja : IXYS
Kuvaus : MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Sarja : MegaMOS™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 1000V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 520W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Toimittajalaitteen paketti : SOT-227B
Paketti / asia : SOT-227-4, miniBLOC

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.