Vishay Semiconductor Diodes Division - MBR10H100-E3/4W

KEY Part #: K6441817

[7433kpl varastossa]


    Osa numero:
    MBR10H100-E3/4W
    Valmistaja:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - RF, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MBR10H100-E3/4W electronic components. MBR10H100-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR10H100-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBR10H100-E3/4W Tuoteominaisuudet

    Osa numero : MBR10H100-E3/4W
    Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    Diodin tyyppi : Schottky
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 10A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 770mV @ 10A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : -
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 4.5µA @ 100V
    Kapasitanssi @ Vr, F : -
    Asennustyyppi : Through Hole
    Paketti / asia : TO-220-2
    Toimittajalaitteen paketti : TO-220AC
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • CDBDSC3650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APU02-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins

    • VS-60APU06PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp