GeneSiC Semiconductor - 1N3879

KEY Part #: K6442659

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4. Rectifiers 50V 6A Fast Recovery

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - JFET and Transistorit - FETit, MOSFETit - Single ...

Kilpailuetu:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3879 electronic components. 1N3879 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3879, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N3879

Valmistaja : GeneSiC Semiconductor

Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 6A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 6A

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 200ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 15µA @ 50V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Chassis, Stud Mount

Paketti / asia : DO-203AA, DO-4, Stud

Toimittajalaitteen paketti : DO-4

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut

GP2D010A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.
GP2D006A065C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.
GP2D005A120C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.
GDP03S060C

Global Power Technologies Group

DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.
LXA08B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr
VS-MBRD320PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

Kuumat osat