BYG10G-E3/TR Hinnoittelu (USD) [739474kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05002
- 1,800 pcs$0.04701
- 3,600 pcs$0.04231
- 5,400 pcs$0.03996
- 12,600 pcs$0.03643
- 45,000 pcs$0.03408
- Osa numero:
- BYG10G-E3/TR
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR-moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - erityistarkoitus ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10G-E3/TR electronic components. BYG10G-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10G-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10G-E3/TR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
BYG10G-E3/TR
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 1.5A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti :
DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Kuumat osat
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T